盛夏已過，初秋開場

十月的耐高溫似舊還沒不散生活水平也免沒辦法被混亂的工作任務封印符咒

髙壓大瓦數(6500V/3000A)IGBT自測難？伴由于工作訴求急、的任務重、想要高工程項目師們水壓山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

可能SiC與Si功效特點的各種不同，SiC MOSFET的域值額定輸出功率具備著時快時慢界定，在元器件封裝測量全過程中域值額定輸出功率會現明顯的漂移，引起其電功效測量包括中高溫柵偏耐壓后的電測量最終嚴重性依懶于測量前提條件。因域值額定輸出功率的精確性測量，現階段不靠譜性測量策略有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通功率電阻 RDSon為引響電子元器件工做時導通衰減的一為重要表現數據，其值會隨 VGS 或者T的變動而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護性還可以將直流電壓以及直流電要求在SOA區域劃分，避免出現電子元器件損害或炸管。

檢驗生活條件：800V 恒壓 10μA 限流

檢驗的條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流值探測用電線路將改善導通電流電壓自動測量要求；? SOCKET與PIN交往電阻功率功率、考試引線導通電阻功率功率。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電弧形諧振；? 新線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普普通通同軸低壓電纜的等效電感與DUT串并聯，SMU測評時升高已經可靠用時長；? 三同軸電線等效濾波電容可以說為0。

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