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PMDT功率器件動態參數測試系統

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       PMDT耗油率元電子元件動態信息的指標測試儀整體一款上用于MOSFET、IGBT、SiC   MOS等元電子元件的動態信息的指標測試儀,可以可靠便利性的測試儀耗油率元電子元件的打開定時和材料耗費,評估報告元電子元件的可靠事情區,對元電子元件和驅動包用電線路的斷路自我保護性進行認可,自動測量耗油率零件的雜散電感。      體統首要由雙電磁警報產生器,高分數辨率示波器,直流電感應電流溫度探頭,直流電主機電源、母線電容(電容器)、低雜感母排、會機械化各種公測各種公測軟文以其有各種公測各種公測工裝定制組成了。體統有四種各種公測各種公測安裝驅動板,可復蓋電按鈕技術參數各種公測各種公測、柵極正電荷各種公測各種公測、斷路各種公測各種公測、雪崩各種公測各種公測等,日均各種公測各種公測就好完畢電按鈕性能特點及倒置還原性能特點各種公測各種公測;可城市熱力圖存有各種公測各種公測結論及波形圖的身材曲線,會重新制成各種公測各種公測報告范文。


產品特點

● 高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
● 大電流達2000A(可擴展至6000A)
● 低寄生電感設計,<20nH寄生電感
● 安全防護機制,集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋,支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化,負載電感自動切換
● 溫度范圍廣,可選高溫模塊(常溫~200℃)或熱流儀(-40℃~200℃)

● 兼容多(duo)種封裝,可(ke)根據測試需求定制夾具(ju)


系統組成.png


測試項目

●  開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏(pian)安全工(gong)作區:關(guan)斷(duan)電(dian)壓尖峰(feng)VCE—peak、關(guan)斷(duan)電(dian)流(liu)尖峰(feng)lc、Vce vs.t、lc ;vs.t



測試夾具

專門針對市場上各個封裝形式內型的馬力半導體技術,如IGBT、SiC、MOS等商品的,普賽斯帶來芭比娃娃家具公測沖壓模具應對方法,可于T0單管,半橋模組等商品的的公測

測試夾具.png



軟件界面

軟件界面.png

產品選型

項目正向電壓負向電壓最大電流脈寬范圍
柵極0~30V-20~0V10A0.1μs~200μs
項目最大電壓最大電流短路電流
漏極/集電極2000V2000A(DPT)12kA
項目雜散電感保護響應時間工作環境溫度
系統功能
<20nH  <2us常溫~40℃


PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考:

型號規格高壓差分探頭柔性電流探頭
PMDT20032000V/300A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(15個): 下行帶寬 100M,量限 30AIc(一): 上行寬帶 30M,分度值 300A Icsc(2個): 下行帶寬 30M,量限 12kA
PMDT20102000V/1000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X:350V,2000X: 3500VIg(1個大概):上行寬帶 100M,測量范圍 30AIc(5個):帶寬起步 30M,示值 1200A Icsc(一個):帶寬使用 30M,量限 12kA
PMDT20202000V/2000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(4個): 上行速率 100M,量限 30AIc(7個): 帶寬使用 30M,滿量程 3000A Icsc(5個): 傳輸速率 30M,示值 12kA



*之上要求請諒解系統更新,恕不額外信息。

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