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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導參數設置定量檢測儀含有高gps精度、寬估測時間范圍、 更快的比較靈活、兼容強等強勢,物料行也鼓勵DC瞬時電流-電阻(I-V)、電容器-電阻(C-V)與高流高壓低壓下脈沖信號式I-V基本特征的測試軟件。        針對模快化的結構特征定制,可不可以益處粉絲選擇測驗都要,機靈標配測試單園做好提升等級。產品的大力支持最高的人1200V工作電壓、100A大工作直流電、1pA小工作直流電甄別率的測試,一并檢測工具10kHz至1MHz的范圍內的多頻AC電阻測試。        在用專門用半導體功率器件參數設備測試圖片儀平臺,兼容數據源交互式人工運行方法運行方法或相結合探頭臺的電腦自動運行方法,會從在測量設備、履行、結果顯示探討到數據源處理的這個全過程,保證高效能和可相似的功率器件定性分析;也可與高溫度低箱、控溫方案等配上安全使用,各種需求高溫度低測試圖片儀各種需求。

產品特點

●    30μV-1200V,1pA-100A 寬量程(cheng)測(ce)試(shi)能力

●     測(ce)量精度高(gao),全量程下(xia)可達0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自(zi)動實時參(can)數(shu)(shu)提取、 數(shu)(shu)據(ju)繪(hui)圖(tu)、分析(xi)函數(shu)(shu)

●     在CV和IV測量之(zhi)間快(kuai)速(su)切換而無需重新布線

●     提供靈活的夾具定(ding)制方案(an),兼容性(xing)強

●     免費提供上位機軟件及SCPI指令集


應運動畫場景及測試(shi)軟件數據

1、納米材料:電阻率、載流子(zi)遷移率、載流子(zi)濃(nong)度(du)、霍(huo)爾電壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉/彎折(zhe)、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲(qu)線

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉(zhuan)移/CV曲線等(deng)

5、光電探測器:暗電(dian)流ID、結電(dian)容(rong)Ct、反向擊穿電(dian)壓VBR、響應(ying)度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交(jiao)流IV測試(shi)


標志性優缺點

1、模塊化配置:可(ke)靈活配(pei)置(zhi)多種(zhong)測量單元,預留(liu)升(sheng)級空間(jian),方便后期升(sheng)級

2、圖形化界面:內置常(chang)用(yong)(yong)器件模板,可(ke)直(zhi)接(jie)調用(yong)(yong),并且支持輸出三種模式測(ce)試報(bao)告

3、自動化測試:內嵌(qian)低(di)漏電(dian)矩陣開關(guan),可自動切換測(ce)試電(dian)路,實現一鍵測(ce)試功能

4、夾具可定制:支持(chi)二極管(guan)(guan)、三極管(guan)(guan)、Si及(ji)SiC MOS管(guan)(guan)、IGBT等器(qi)件

5、多設備聯動:可與探針(zhen)臺(tai)、溫控(kong)模塊(kuai)等(deng)搭配使用,溫控(kong)范圍(wei):室溫~250℃

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越(yue)來越(yue)快半導體技術相關材料、心(xin)片元(yuan)器件封裝定(ding)制以其較為先進(jin)工藝設備的建設校驗

1、支撐直流電源、智能I-V測試

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2、內部自帶技術專業行列式按鈕,延長測試成功率

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3、可與許多生產設備聯調采用:晶圓級集成ic機械性能指標軟件需與檢測器臺聯調,安全性評估方法會涵蓋常溫下并且高低溫制冷的效果等條件

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4、三同定位軸線纜發展小交流電測試方法精密度較

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圖像化APP工具欄

針對普賽斯自主經營發展的專業性試驗軟文,SPA6100可簡約保證光電電子元件素材,電子元件的產品參數PC軟件設置試驗。設計內裝置最常用電子元件微信小程序模板,如二級管, 三級管,MOSFET。試驗過程中 中,可直接性獲取,只需簡約PC軟件設置試驗產品參數PC軟件設置就好。軟文鼓勵試驗動態數據庫呈現,相應直線設計。試驗立即 后,可將動態數據庫相應直線拷貝保護。

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靈活性高可(ke)設計(ji)化(hua)的(de)卡具(ju)細則

對於目前上不同于集成塊封裝類形的半導體集成塊電子元件商品,普賽斯帶來一整套車床沖壓模具化解設計。車床沖壓模具具備著低抗阻、裝有簡潔明了、分類多種多樣等共同點,可 適用于電感、多晶體管、場因素多晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類商品的公測;也可與探頭臺接入,改變晶圓級集成塊 公測。


其他封裝類別類別的夾(jia)具設(she)計(ji)

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產品選型

高壓低壓交流電I-V源在線測量單(dan)元

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

高壓低壓脈沖(chong)激光I-V源測定單元測試卷(juan)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(直流變壓器) / 30A(脈沖激光)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

進行高壓I-V源精確測量單(dan)無(wu)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高(gao)流I-V源估測模塊(kuai)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電阻測量方法單元尺(chi)寸(cun)

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



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