国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频

●   高電壓達3500V(最大擴(kuo)展至12kV)

●   大電流達(da)6000A(多模塊并聯)

●   nA級漏(lou)電流μΩ級導(dao)通電阻

●   高精度測(ce)量0.1%

●   模塊化(hua)配置(zhi)，可添(tian)加或升級測(ce)量單元，可提(ti)供(gong)了IV、CV、跨(kua)導(dao)等雄厚功效(xiao)的綜(zong)上考試

●   測試效(xiao)率高，自動切換、一鍵(jian)測試

●   溫度范圍廣，支持(chi)常溫、高(gao)溫測試

●   兼(jian)容多種封裝，根據測試(shi)需(xu)求(qiu)定制夾(jia)具

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nei)阻Rg、輸(shu)入電(dian)容Ciss/Cies、輸(shu)出電(dian)容Coss/Coes、反向傳輸(shu)電(dian)容Crss/Cres、跨導gfs、輸(shu)出特(te)性曲線、轉移(yi)特(te)性曲線、C-V特(te)性曲線

●   光耦(四(si)端(duan)口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸(shu)入電容(rong)(rong)CT、輸(shu)出電容(rong)(rong)CCE、電流傳輸(shu)比CTR、隔離電容(rong)(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率器件(jian)由于其(qi)功率特點(dian)極(ji)易(yi)產生大量(liang)熱量(liang)，施加(jia)應力時間(jian)長(chang)，溫度迅速上升(sheng)，嚴(yan)重時會使(shi)器件(jian)損(sun)壞，且不符合器件(jian)工作特性(xing)。普賽斯直(zhi)流(liu)電版塊構建的日(ri)(ri)期乘以(yi)5ms，在測(ce)式過程中 中能減小待測(ce)物(wu)加(jia)電日(ri)(ri)期的發高(gao)燒(shao)。

2、壓力下漏電流(liu)(liu)的(de)(de)檢查業務能力無以倫(lun)比，檢查遍布率遠(yuan)遠(yuan)高于香港國際(ji)企業。市面(mian)上絕大多數器件的(de)(de)規(gui)(gui)格(ge)書顯示(shi)，小模塊(kuai)(kuai)在(zai)高溫(wen)測(ce)(ce)試(shi)(shi)時漏電流(liu)(liu)一般大于5mA，而車(che)規(gui)(gui)級三相(xiang)半橋高溫(wen)下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)(gui)格(ge)書為例：3300V，125℃測(ce)(ce)試(shi)(shi)條件下ICES典型(xing)值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊(kuai)(kuai)測(ce)(ce)試(shi)(shi)幾乎(hu)可以完(wan)美應(ying)對所有類(lei)型(xing)器件的(de)(de)漏電流(liu)(liu)測(ce)(ce)試(shi)(shi)需求。

PMST馬力元器件靜態變量系統多種品種分配型號選取：